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元件参数资料
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参数目录42485
> SIHG20N50C-E3 MOSFET N-CH 500V 20A TO247
型号:
SIHG20N50C-E3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 500V 20A TO247
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SIHG20N50C-E3 PDF
产品目录绘图
SIHG Series TO-247
特色产品
SiHP18N50C/SiHG20N50C MOSFETs
标准包装
500
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
20A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
270 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
76nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2942pF @ 25V
功率 - 最大
292W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商设备封装
TO-247AC
包装
散装
产品目录页面
1663 (CN2011-ZH PDF)
查看SIHG20N50C-E3代理商
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